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BUK652R7-30C,127

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: BUK652R7-30C,127
Descrição: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max) 204W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6960pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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