PHM15NQ20T,518
Fabricantes: | NXP USA Inc. |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | PHM15NQ20T,518 |
Descrição: | MOSFET N-CH 200V 17.5A 8HVSON |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | NXP USA Inc. |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | TrenchMOS™ |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-VDFN Exposed Pad |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 15A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 62.5W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-HVSON (6x5) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 200V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2170pF @ 30V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 17.5A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 50 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1