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PHX18NQ11T,127

Fabricantes:	NXP USA Inc.
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	PHX18NQ11T,127
Descrição:	MOSFET N-CH 110V 12.5A SOT186A
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	NXP USA Inc.
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max)	31.2W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-220F
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	110V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	635pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	12.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V