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PEMH4,115

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Folha de dados: PEMH4,115
Descrição: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Active
Potência - Máximo 300mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Número da parte base P*MH4
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Frequência - Transição -
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-666
Resistor - Base de Emissores (R2) -
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 1µA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

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