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FDC6561AN

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	FDC6561AN
Descrição:	MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	PowerTrench®
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Active
Potência - Máximo	700mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95mOhm @ 2.5A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	SuperSOT™-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.5A