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FDG311N

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	FDG311N
Descrição:	MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	PowerTrench®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	750mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	SC-88 (SC-70-6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V