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FDG6303N_G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: FDG6303N_G
Descrição: INTEGRATED CIRCUIT
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Bulk
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 300mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores SC-88 (SC-70-6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 25V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 500mA

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