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FDMD85100
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Folha de dados: | FDMD85100 |
| Descrição: | MOSFET 2N-CH 100V |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Série | PowerTrench® |
| Fet tipo | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Embalagem | Digi-Reel® |
| Fet recurso | Standard |
| Parte Status | Active |
| Potência - Máximo | 2.2W |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-PowerWDFN |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9mOhm @ 10.4A, 10V |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-Power 5x6 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 100V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 50V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 10.4A |
Em estoque 2910 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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