Image is for reference only , details as Specifications

FDMS4D0N12C

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	FDMS4D0N12C
Descrição:	PTNG 120V N-FET PQFN56
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	PowerTrench®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 370A
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 67A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.7W (Ta), 106W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	120V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6460pF @ 60V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	18.5A (Ta), 114A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V