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HGTG30N60B3D

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: HGTG30N60B3D
Descrição: IGBT 600V 60A 208W TO247
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT -
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 170nC
Parte Status Not For New Designs
Potência - Máximo 208W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Condição de teste 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Número da parte base HGTG30N60
Comutação de energia 550µJ (on), 680µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 36ns/137ns
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247-3
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Tempo de recuperação reverso (trr) 55ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 60A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 220A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 600V

Em estoque 1534 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.43 $5.32 $5.21
Mínimo: 1

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