NVMD6N03R2G
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Folha de dados: | NVMD6N03R2G |
Descrição: | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | - |
Fet tipo | 2 N-Channel (Dual) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Fet recurso | Logic Level Gate |
Parte Status | Obsolete |
Potência - Máximo | 1.29W |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Número da parte base | NTMD6N03 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6A, 10V |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SOIC |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 30V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 24V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 6A |
Em estoque 54 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1