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NVMD6N03R2G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: NVMD6N03R2G
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 1.29W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número da parte base NTMD6N03
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 24V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 6A

Em estoque 54 pcs

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