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STGD6M65DF2

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: STGD6M65DF2
Descrição: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série M
Tipo IGBT Trench Field Stop
Embalagem Digi-Reel®
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 21.2nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 88W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Condição de teste 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Número da parte base STGD6
Comutação de energia 36µJ (on), 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 15ns/90ns
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores DPAK
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
Tempo de recuperação reverso (trr) 140ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 12A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 24A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 650V

Em estoque 2145 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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