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TC58NYG2S3EBAI5

Fabricantes:	Toshiba Memory
Categoria de produto:	USB Flash Drives
Folha de dados:	TC58NYG2S3EBAI5
Descrição:	NAND Flash 1.8V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Rohs	Details
Marca	Toshiba Memory
Velocidade	25 ns
Produto	NAND Flash
Embalagem	Tray
Tamanho da memória	4 Gbit
Tipo de memória	NAND
Subcategoria	Memory & Data Storage
Tipo de tempo	Synchronous
Arquitetura	Block Erase
Fabricante	Toshiba
Organização	512 M x 8
Tipo de produto	NAND Flash
Largura de ônibus de dados	8 bit
Tipo de interface	Parallel
Estilo de montagem	SMD/SMT
Pacote / Caso	TFBGA-63
Categoria de produto	NAND Flash
Umidade sensível	Yes
Corrente de fornecimento - Max	30 mA
Voltagem da fonte - máximo	1.95 V
Tensão da fonte - Min	1.7 V
Quantidade do bloco da fábrica	180
Frequência máxima do relógio	-
Temperatura máxima de operação	+ 85 C
Temperatura operacional mínima	- 40 C