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GT50J121(Q)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: GT50J121(Q)
Descrição: IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT -
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 240W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-3PL
Condição de teste 300V, 50A, 13Ohm, 15V
Comutação de energia 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 90ns/300ns
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-3P(LH)
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 50A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 100A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 600V

Em estoque 91 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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