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RN1426TE85LF
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Folha de dados: | RN1426TE85LF |
| Descrição: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Série | - |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Parte Status | Active |
| Potência - Máximo | 200mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Número da parte base | RN142* |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Frequência - Transição | 300MHz |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | S-Mini |
| Resistor - Base de Emissores (R2) | 10 kOhms |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 800mA |
| Atual - Corte de colecionador (Max) | 500nA |
| DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V |
| Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 50V |
Em estoque 99 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.09 | $0.09 | $0.09 |
Mínimo: 1
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