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RN2102ACT(TPL3)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Folha de dados: RN2102ACT(TPL3)
Descrição: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Potência - Máximo 100mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-101, SOT-883
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Pacote de dispositivos de fornecedores CST3
Resistor - Base de Emissores (R2) 10 kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 80mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em estoque 66 pcs

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