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SSM6N35FE,LM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SSM6N35FE,LM
Descrição: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 150mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Número da parte base SSM6N35
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 50mA, 4V
Pacote de dispositivos de fornecedores ES6 (1.6x1.6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 3V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 180mA

Em estoque 7678 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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