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TK9P65W,RQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TK9P65W,RQ
Descrição: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série DTMOSIV
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 560mOhm @ 4.6A, 10V
Dissipação de energia (Max) 80W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 300V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 9.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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