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TPC8035-H(TE12L,QM

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TPC8035-H(TE12L,QM
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	U-MOSVI-H
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-SOP (5.5x6.0)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7800pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	18A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V