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TPC8A06-H(TE12LQM)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TPC8A06-H(TE12LQM)
Descrição: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso Schottky Diode (Body)
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Temperatura operacional -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.1mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max) -
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SOP (5.5x6.0)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 87 pcs

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