TPC8A06-H(TE12LQM)
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | TPC8A06-H(TE12LQM) |
Descrição: | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | Schottky Diode (Body) |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Temperatura operacional | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.1mOhm @ 6A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | - |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SOP (5.5x6.0) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 30V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 10V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Em estoque 87 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1