A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

TPN22006NH,LQ

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TPN22006NH,LQ
Descrição:	MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	U-MOSVIII-H
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	700mW (Ta), 18W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V