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VS-GT50TP60N

Fabricantes: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Modules
Folha de dados: VS-GT50TP60N
Descrição: IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Série -
Tipo IGBT Trench
Parte Status Last Time Buy
Potência - Máximo 208W
Configuração Half Bridge
Tipo de montagem Chassis Mount
NTC Thermistor No
Pacote / Caso INT-A-PAK (3 + 4)
Temperatura operacional 175°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores INT-A-PAK
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 85A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.03nF @ 30V
Atual - Corte de colecionador (Max) 1mA
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 600V

Em estoque 72 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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