A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

SI1025X-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	SI1025X-T1-GE3
Descrição:	MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	TrenchFET®
Fet tipo	2 P-Channel (Dual)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Active
Potência - Máximo	250mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SOT-563, SOT-666
Número da parte base	SI1025
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4Ohm @ 500mA, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	SC-89-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.7nC @ 15V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	23pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	190mA