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SI1026X-T1-E3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	SI1026X-T1-E3
Descrição:	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	-
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Obsolete
Potência - Máximo	250mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SOT-563, SOT-666
Número da parte base	SI1026
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 500mA, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	SC-89-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	305mA