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SI1404BDH-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SI1404BDH-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	238mOhm @ 1.9A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	SC-70-6 (SOT-363)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.7nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V