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SI2321DS-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: SI2321DS-T1-GE3
Descrição: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
Fet tipo P-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 3.3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 710mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 715pF @ 6V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 2.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Em estoque 70 pcs

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