Image is for reference only , details as Specifications

SI4464DY-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SI4464DY-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 2.2A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1.5W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	200V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V