SI5463EDC-T1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | SI5463EDC-T1-GE3 |
Descrição: | MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
Fet tipo | P-Channel |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±12V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-SMD, Flat Lead |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 4A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max) | 1.25W (Ta) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 1206-8 ChipFET™ |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Em estoque 93 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1