SI5902DC-T1-E3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Folha de dados: | SI5902DC-T1-E3 |
Descrição: | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
---|---|
Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | TrenchFET® |
Fet tipo | 2 N-Channel (Dual) |
Embalagem | Digi-Reel® |
Fet recurso | Logic Level Gate |
Parte Status | Obsolete |
Potência - Máximo | 1.1W |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-SMD, Flat Lead |
Número da parte base | SI5902 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 2.9A, 10V |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 1206-8 ChipFET™ |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 30V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 2.9A |
Em estoque 97 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1