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SI7792DP-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SI7792DP-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	SkyFET®, TrenchFET® Gen III
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	Schottky Diode (Body)
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)	6.25W (Ta), 104W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4.735nF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	40.6A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V