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SIA778DJ-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SIA778DJ-T1-GE3
Descrição: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 6.5W, 5W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número da parte base SIA778
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 8V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 12V, 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 6V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 4.5A, 1.5A

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