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SIA950DJ-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SIA950DJ-T1-GE3
Descrição: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série LITTLE FOOT®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Cut Tape (CT)
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 7W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número da parte base SIA950
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 190V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 90pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 950mA

Em estoque 98 pcs

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