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SISS23DN-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SISS23DN-T1-GE3
Descrição:	MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET®
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Temperatura operacional	-50°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	4.8W (Ta), 57W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8840pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V