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SQJ960EP-T1_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SQJ960EP-T1_GE3
Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 8A
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Cut Tape (CT)
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 34W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.3A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® SO-8 Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 735pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 8A

Em estoque 875 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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