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IRF6709S2TR1PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRF6709S2TR1PBF
Descrição:	MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HEXFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	DirectFET™ Isometric S1
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1.8W (Ta), 21W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	DIRECTFET S1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	25V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1010pF @ 13V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	12A (Ta), 39A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V