Image is for reference only , details as Specifications

IRF6711STR1PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRF6711STR1PBF
Descrição:	MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HEXFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	DirectFET™ Isometric SQ
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Temperatura operacional	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 19A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.2W (Ta), 42W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	DIRECTFET™ SQ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	25V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1810pF @ 13V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	19A (Ta), 84A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V